据媒体最新报道，以台积电为代表的半导体厂商已经获得支持，并被期许在2030年前量产1nm以下工艺。
为协助台积电、稳懋、华邦、日月光等提前布局12寸晶圆制造利基设备，现正规划推动高雄半导体材料专区，建立南部半导体材料S廊带，旨在掌握关键化学品和材料优化参数，建立战略供应链。
有观点将2030年定义为超摩尔定律时代，IC产品迈向多元化和极致效能，并进入埃米尺度。
从头部核心设备光刻机的角度，ASML目前公开的路线图最远规划到型号EXE:5200，数值孔径0.55NA，硅片、曝光洁净室逼近物理极限。
按照ASML的说法，现今5nm/7nm光刻机已然需要10万+零件、40个集装箱，而1nm时代光刻机还要比3nm还大一倍左右。
